來源：環(huán)球網(wǎng)

【環(huán)球網(wǎng)科技綜合報道】9月11日消息，臺積電近日對外確認(rèn)多項產(chǎn)能調(diào)整計劃，包括兩年內(nèi)退出氮化鎵（GaN）代工業(yè)務(wù)、整合8英寸舊廠并布局自研極紫外光（EUV）光罩薄膜量產(chǎn)，此舉旨在優(yōu)化產(chǎn)能結(jié)構(gòu)、降低運(yùn)營成本，同時減少對外部供應(yīng)鏈依賴，進(jìn)一步提升先進(jìn)制程競爭力。

根據(jù)規(guī)劃，臺積電將關(guān)閉位于新竹科學(xué)園區(qū)的6英寸二廠，并對新竹的8英寸三廠（Fab 3、Fab 5、Fab 8）進(jìn)行整合。為緩解用工緊缺、提升產(chǎn)能利用效率，約30%的相關(guān)員工將調(diào)往南部科學(xué)園區(qū)及高雄廠區(qū)。這一系列動作是臺積電自2025年初啟動舊廠精簡計劃以來的關(guān)鍵舉措，將有效整合分散產(chǎn)能，降低多廠區(qū)運(yùn)營成本。

在舊廠轉(zhuǎn)型利用方面，臺積電明確6英寸工廠將改造為CoPoS面板級封裝生產(chǎn)基地，而8英寸廠將承擔(dān)更具戰(zhàn)略意義的任務(wù)——量產(chǎn)自研EUV光罩薄膜（Pellicle）。據(jù)了解，EUV光罩薄膜是覆蓋在光刻光罩上的關(guān)鍵保護(hù)膜，可有效防止顆粒污染影響光刻精度，對7納米及以下先進(jìn)制程良率至關(guān)重要。

此前，傳統(tǒng)EUV光罩薄膜多采用有機(jī)材料，存在透光性與穩(wěn)定性不足的問題，多數(shù)晶圓廠只能在無薄膜狀態(tài)下生產(chǎn)，需頻繁檢測、更換光罩，不僅增加生產(chǎn)成本，還會延長生產(chǎn)周期。臺積電自主研發(fā)的EUV光罩薄膜，有望解決這一行業(yè)痛點，通過優(yōu)化生產(chǎn)流程提升先進(jìn)制程良率，同時減少對ASML及其供應(yīng)鏈的依賴，增強(qiáng)供應(yīng)鏈自主可控能力。

從行業(yè)背景來看，過去10年臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域投入了創(chuàng)紀(jì)錄的資本，但隨著摩爾定律逼近物理極限，單純依靠資本投入的收益逐步減弱。EUV光刻技術(shù)雖為更小制程節(jié)點提供可能，但其設(shè)備成本高昂——單臺EUV掃描機(jī)約1.5億美元，High-NA版本更是超過3.5億美元，且核心設(shè)備長期由ASML壟斷。在此背景下，臺積電放緩High-NA設(shè)備采購節(jié)奏，轉(zhuǎn)而加快EUV薄膜等關(guān)鍵配套技術(shù)的研發(fā)與量產(chǎn)，成為其平衡成本與技術(shù)突破的重要策略。（純鈞）

關(guān)鍵詞： 臺積電 euv 知名企業(yè) 國產(chǎn)光刻機(jī)