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      電子電力領(lǐng)域需求大漲 光電領(lǐng)域占據(jù)氮化鎵主要需求市場
      2022-01-21 11:40:22 來源:前瞻網(wǎng) 編輯:

      行業(yè)主要上市企業(yè):目前國內(nèi)氮化鎵行業(yè)的上市公司主要有(688396)、(600703)、(600460)、(600745)

      本文核心數(shù)據(jù):氮化鎵(GaN)下游應用領(lǐng)域結(jié)構(gòu)、GaN在光電領(lǐng)域應用規(guī)模、SiC、GaN電子電力市場規(guī)模、GaN微波射頻器件市場規(guī)模

      1、光電領(lǐng)域占據(jù)氮化鎵主要需求市場

      氮化鎵作為第三代半導體材料,有更高的禁帶寬度,是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系,下游應用包括微博射頻器件(通信基站等),電力電子器件(電源等),光電器件(LED照明、激光等)。

      光電器件是氮化鎵的主要應用方向,2020年占GaN整體市場規(guī)模的68%,市場規(guī)模達到224.7億元左右。

      2、電子電力領(lǐng)域需求大漲

      由于GaN材料電子漂移飽和速度高,擊穿場強大,目前硅基GaN功率器件具有高反向關(guān)斷電壓、更高的工作頻率和更低的導通電阻等特性,可使電源做的更小,效率更高,更高的功率密度。在開關(guān)電源、電動汽車、光伏發(fā)電、UPS、數(shù)據(jù)中心、無線充電,芯片處理器等應用具有非常好的前景。根據(jù)CASA統(tǒng)計,2020年我國SiC、GaN電力電子器件市場規(guī)模約為46.8億元,較2019年同比增長90%。

      其中,國外多家企業(yè)開始推動GaN在新能源汽車領(lǐng)域的應用。與Si技術(shù)相比,GaN芯片可將開關(guān)速度最大提高4倍,降低電壓和電流交叉損耗;功率密度最高增加40%;降低了整體系統(tǒng)重量和成本。盡管相較SiC產(chǎn)品,GaN車用仍然處于早期階段,但豐田等廠商已經(jīng)開始上車測試,考慮其成本優(yōu)勢,未來市場前景被業(yè)內(nèi)人士看好。

      在射頻領(lǐng)域,氮化鎵以高頻、高效、大功率的特點廣泛應用于雷達、電子戰(zhàn)等軍工領(lǐng)域,在解決國家重大安全需求上發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

      近年來,我國5G基站建設(shè)力度加大,帶動了國內(nèi)GaN微波射頻器件市場規(guī)模迅速擴張。根據(jù)CASA統(tǒng)計,2020年我國GaN微波射頻器件市場規(guī)模為66.1億元,同比增長57.2%。

      關(guān)鍵詞: 電子電力領(lǐng)域 電子 電力 領(lǐng)域

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