-與集成電路其他產(chǎn)品相比，存儲芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長，預計2020年至2025年的復合年增長率將超過9%。

-截至2020年末長江存儲取得全球接近1%市場份額，全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash，與長存NAND補齊Flash版圖。

-本土需求疊加外部因素催生本土廠商產(chǎn)能躍進，未來五年長鑫、長存產(chǎn)能有望持續(xù)提升，形成較高的市場競爭力。

NAND與DRAM存儲芯片為全國最大市場體量的芯片，且國內(nèi)需求巨大，以長江存儲、長鑫存儲等為代表的存儲企業(yè)成立歷史尚短，但通過持續(xù)技術(shù)迭代，已取得不斷突破。

2021年12月18日，集微咨詢(JW Insights)重磅發(fā)布《中國半導體企業(yè)100強》排行榜，長江存儲排名第七位，長鑫存儲排名第十一位。

存儲芯片需求攀升

半導體存儲器從易失性角度分為隨機存儲器RAM和只讀存儲器 ROM 兩種。目前市場主流的半導體存儲器以 DRAM(動態(tài)隨機存儲)、NAND Flash和NOR Flash。

DRAM集成度高、功耗低、存取速度慢。從存儲能力來說，DRAM所能提供的存儲容量更大，訪問時間較長。NAND 容量大、單位容量成本低，NOR 讀取速度快、可靠性高、擦除速度快。多應用于嵌入式系統(tǒng)采用的DOC及閃盤。

根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2021年，全球存儲器IC市場超過1550億美元，其中56%預計將來自于DRAM產(chǎn)品，約41%由NAND存儲器的銷售產(chǎn)生。

伴隨云計算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等重要趨勢推動數(shù)據(jù)大爆炸時代的來臨，并助推了未來幾年存儲需求的強勁增長。與集成電路其他產(chǎn)品相比，存儲芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長，預計2020年至2025年的復合年增長率將超過9%。

Yole數(shù)據(jù)顯示，作為全球存儲重要市場，中國存儲芯片市場規(guī)模由2014年的1274億元增長至2019的2697億元，年均復合增長率達到16.18%。

長江存儲：3D NAND Flash+Nor Flash(武漢新芯)

長江存儲是大陸首家實現(xiàn)64層3D NAND量產(chǎn)的IDM企業(yè)。其全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash，與長江存儲NAND補齊Flash版圖。

2018年，長江存儲發(fā)布Xtacking架構(gòu);2019年9月，長江存儲成功量產(chǎn)64層TLC 3D NAND 閃存。此后，長江存儲跳過96層3D NAND閃存技術(shù)量產(chǎn)，2020年4月宣布128層TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070是業(yè)界首款128層QLC閃存。

根據(jù)民生證券數(shù)據(jù)，截至2020年末長江存儲取得全球接近1%市場份額，預計2025年底占全球總產(chǎn)能的比例將達到約6%。到2019年和2020年底，長江存儲產(chǎn)能分別達到2萬/月、4萬/月，2021年、2022年、2023年、2024年、2025年長江存儲產(chǎn)能分別將達到10萬片/月、15萬片/月、20萬片/月、25萬片/月、30萬片/月。

此外，全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash，與長存NAND 補齊Flash版圖，武漢新芯成立于2006年，由湖北省市區(qū)三級政府集體決策投資107億，建設(shè)中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線，2008年建成投產(chǎn)。2017年武漢新芯開始聚焦IDM 戰(zhàn)略，發(fā)布了集產(chǎn)品設(shè)計、晶圓制造與產(chǎn)品銷售于一體的自主品牌，致力于開發(fā)高性價比的SPI NOR Flash產(chǎn)品。

長鑫存儲：DRAM技術(shù)快速成長

DRAM作為是存儲最大細分市場，在電動車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的推動下、全球居家辦公需求延續(xù)、5G、人工智能大發(fā)展的背景下，DRAM需求也隨之不斷攀升。合肥長鑫存儲作為一體化存儲器制造商，專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。

2020年底，合肥長鑫19nm DRAM芯片實現(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)能達到4萬片。當下長鑫量產(chǎn)的主要是10G1工藝下的DDR4、LPDDR4。未來將推出10G3工藝下的DDR5、LPDDR5，及10G5工藝下的DDR5、LPDDR5、GDDR6。

2020年安徽省經(jīng)濟和信息化廳去年印發(fā)了《重點領(lǐng)域補短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務揭榜工作方案》，其中要求實現(xiàn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計技術(shù)、低功耗電源(電壓)技術(shù)、片內(nèi)糾錯編碼(On-Die ECC)技術(shù)，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

集微咨詢(JW Insights)認為，目前，全球存儲芯片主要由國外寡頭企業(yè)供給，國產(chǎn)存儲存在的巨大缺口。伴隨國際形勢以及國內(nèi)缺口，國產(chǎn)存儲芯片自主化已成必然路徑。以長存、長鑫為代表的國內(nèi)存儲企業(yè)經(jīng)過技術(shù)攻關(guān)，已取得系列技術(shù)突破，并覆蓋NAND與DRAM等主要領(lǐng)域。

存儲芯片作為全球最大市場體量的芯片，伴隨信息化時代數(shù)據(jù)大爆炸，存儲芯片全球需求量高速攀升，國內(nèi)市場需求不斷擴大。2021年長鑫存儲和長江存儲產(chǎn)能合計僅占全球約2.5%，而本土需求疊加外部因素催生本土廠商產(chǎn)能躍進，未來五年長鑫、長存產(chǎn)能有望持續(xù)提升，形成較高的市場競爭力。

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